PH100-SiUV-OD.3-D0
光电二极管探测器的激光功率测量高达 11 mW。
主要功能
大光圈
硅传感器光圈为10 mm直径。
3种型号
硅 350 - 1080 nm,高达750 mW
紫外硅 210 - 1080 nm,高达38 mW
锗 800 - 1650 nm,高达500 mW
衰减器选择
OD0.3: 50% 传输(PH100-SiUV)
OD1: 10% 传输
OD2: 1% 传输
高精准度
全新PH100-Si-HA大幅降低校准不确定因素
精确校准
波长选择 1 nm一格
智能接口
包含所有的校准数据
测量能力
最大平均功率1
11 mW
噪声等效功率2
20 pW
光谱范围
210 - 1080 nm
典型升起时间
0.2 sec
功率校准不确定性3
±18 % (210 - 229 nm)
±8.0 % (230 - 254 nm)
±6.5 % (255 - 399 nm)
±5.0 % (400 - 1009 nm)
±7.5 % (1010 - 1080 nm)峰值灵敏度
0.45 A/W @ 850 nm
1. 300 nm,附有衰减器。查看其他波长的最大功率曲线。
2. 850 nm。标称值。实际值取决于环境电磁干扰和波长。
3. 附有衰减器。查看用户手册,了解不使用衰减器校准的不确定性。
损坏阈
最大平均功率密度
100 W/cm²
物理特性
孔径
10 mm
吸收器
SiUV
尺寸
38.1Ø x 36D mm
重量
0.14 kg
距传感器表面距离
13.7 mm
商品属性 [波长范围] 210 - 1080 nm [功率范围] 11mW