800nm/500W微通道半导体激光器垂直叠阵
808nm半导体激光器——美容界的脱毛金标准
【产品特点】
1. 本产品核心部件均由国外顶级公司生产。
2. 封装过程采用全AuSn焊料,避免了常用铟焊料引起的激光器退化,大幅度地提高了激光器的使用寿命。
3. 应用了新的材料体系,适用热膨胀匹配材料,大幅度减少了由于芯片和热沉的热膨胀系数不一致而产生的应力。在激光器工作过程中,不会发生因为芯片弯曲而导致的“smile”现象。(注:高功率半导体激光器工作过程中发热量巨大,封装材料和芯片热膨胀系数不一致,将会产生巨大的应力,这种应力能够使工作中的芯片发生断裂,从而造成激光器损坏。)
4. 在封装过程中不使用任何有机材料,因而减少了有机材料挥发对激光器腔面造成的损害。
5. 微通道散热形式散热效果优于宏通道,激光器使用更稳定,寿命更长。
6. 微通道垂直叠阵半导体激光器叠阵保修两年或保发射两千万次。
7. 产品最大驱动电流100A,一般不超过105A。电压£10V,每个bar电压£1.9V最佳。冷水机流量每个bar为0.3L/min.本产品为5层叠阵,水流量1.5 L/min最佳。水压3-3.8公斤,使用时水压不超过3.8公斤。水温25±5°C,使用频率1-100hz,脉冲宽度1-400ms.占空比最大40%。当占空比高时,适当下调驱动电流。频率越高,电流和电压越稳定。
【规格参数】
光学参数:
中心波长:
808nm
波长偏差:
±15nm
单bar输出功率:
100 W
最大脉宽:
400ms
最大占空比:
50%
bar条数量:
5
bar条间距:
1.98mm
偏振模式:
TE
波长偏移系数:
~0.28 nm/℃
电学参数:
工作电流:
Iop ≤110 A
阈值电流:
Ith ≤25 A
单巴工作电压:
≤2V
斜率效率:
≥1.1W/A
功率转换效率:
≥50%
热学参数:
工作温度:
25±5℃
存储温度:
0~55℃
冷却介质 :
去离子水
流量/bar:
0.2~0.4L/min
入水口最大压力:
380 kPa
电导率:
<5μs*cm-1
【注意事项】
1.超过正常功率范围使用会缩短器件的使用寿命.
2.请避免在结露环境下使用和存储
3.建议使用激光器冷水机进行制冷,制冷量≥1000W.
【测试数据】
本产品测试条件:(在以下条件下均可正常工作)
频率
脉冲宽度
占空比
工作电流
工作电压(显示)
1Hz
100ms
10%
80A
9.78V
1 Hz
200ms
20%
80A
9.78V
1 Hz
300ms
30%
80A
9.78V
1 Hz
400ms
40%
80A
9.78V
1 Hz
200ms
20%
90A
9.93V
1 Hz
250ms
25%
90A
9.93V
1 Hz
300ms
30%
90A
9.92V
1 Hz
350ms
35%
90A
9.92V
1 Hz
400ms
40%
90A
9.92V
100 Hz
2 ms
20%
80A
9.66V
100 Hz
2 ms
20%
90A
9.81V
100 Hz
2 ms
20%
95A
9.86V
100 Hz
2 ms
20%
100A
9.9V
100 Hz
3 ms
30%
90A
9.87V
100 Hz
3 ms
30%
100A
9.93V
100Hz
4 ms
40%
100A
9.95V
10 Hz
40 ms
40%
100A
9.96V
10 Hz
50 ms
50%
80A
9.80V
4 Hz
50ms-100ms
20%-40%
100A
8.9-9.5V
3 Hz
66.6ms-80ms
20%-24%
100A
9.24V
2 Hz
100ms
20%
100A
9.66V
商品属性 [波长] 808nm [脉宽] 400ms